之前是犯了这个很低级的错误，14.5V输出用16V耐压电容，量产有1%的电容失效不良。 20.电路设计，大电容或其它电容做成卧式时，底部如有跳线需放在负极电位，这样跳线可以不用穿套管。 这个可以节省成本。 21.整流桥堆、二极管或肖特基，晶元大小元件承认书或在BOM表要有描述，120W充电器生产，如67mil。理由：管控供应商送货一至性，避免供应商偷工减料，影响产品效率 另人烦脑的就是供应商做手脚，导致一整批试产的产品过不了六级能效，120W充电器哪个牌子好，原因就是肖特基内部晶元用小导致。 22.电路设计，Snubber 电容，因为有异音问题，优先使用Mylar电容 。


35.传导整改，分段处理经验，如下图，这只是处理的一种方法，有些情况并不是能直接套用 36.辐射整改，分段处理经验，如下图，适合一些新手工程师，提供一个参考的方向，有些情况并不是能直接套用，的还是要搞清楚EMI产生的机理。 37.关于PCB碰到的问题，如图，为什么99SE画板覆铜填充的时候填不满这个位置？像是有死铜一样D1这个元件有个文字描述的属性放在了顶层铜箔，如图 把它放到顶层丝印后，解决。38.变压器铜箔屏蔽主要针对传导，深圳120W充电器，线屏蔽主要针对辐射，当传导非常好的时候，有可能你的辐射会差，这个时候把变压器的铜箔屏蔽改成线屏蔽，尽量压低30M下降的位置，这样整改辐射会快很多。 EMI整改技巧之一 39.测试辐射的时候，多带点不同品牌的MOS、肖特基。

.●反馈光耦供电用12V供电，且取样点在后级滤波电感前面更好。因为滤波电感前的波动更快的反映前端PWM的调制状态，就算TL431的开启程度是一定的，因为12V的波动可以让光耦上反馈到的电流有微小的差异，在反馈环路一定的情况下，这个光耦供电取样点的选择更有利于动态响应和调整率的平衡控制。。●12V绕组应该放在更接近于初级绕组的地方。这样更有效的确保12V的电压变化比例更小，因为我们反馈采样的是5V端，所以难控制的是12V的绕组。综合这些将可以更好的控制这两个绕组的平衡度。虽然不能做到的好，但是相对的来说是有一定参考价值的。

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